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邁可諾技術有限公司
主營產品： 美國Laurell勻膠機,WS1000濕法刻蝕機,Cargille光學凝膠,EDC-650顯影機,NOVASCAN紫外臭氧清洗機 |
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閱讀：306 發(fā)布時間：2020/07/31
MR200 晶圓劃片機
手動劃線可準確切割
結構化硅晶片的制造
MR 200的設置可為結構化硅晶片切割提供高精度劃線。MR 200是*的工具，特別是對于半導體技術中的REM制備。MR 200還適用于少量芯片的單芯片化，例如在實驗室中使用。設備基本設置為劃線參數(shù)的調整提供了多種選擇。高質量的變焦光學元件可將放大倍率從8倍無級調節(jié)到40倍。光學和機械學可以通過輔助模塊進行擴展，以提高效率和操作。
將基板放在托盤上后，將顯微鏡聚焦在晶圓表面上。通過手動將工作臺驅動到x和y方向，可以將劃線調整為樣本上的參考標記或結構。高質量的變焦顯微鏡可在樣品表面的總覽和細節(jié)顯示之間進行快速切換。使用x / y十字架工作臺的微調，可以非常準確地定位晶片。劃線鉆石的接觸點可以調節(jié)。目鏡的十字準線或監(jiān)視器上的十字準線定義了劃線鉆石的接觸點。劃線鉆石由腳踏開關（升高/降低）控制，因此可以用雙手控制劃線運動。如果定義了劃線，則通過腳踏開關降低鉆石。為了劃片，手動移動整個托盤。相機圖像在計算機屏幕上。視頻圖像可以保存。圖片顯示了光學元件的不同放大倍率，它們在目鏡中顯示為8x，16x，32x和40x。
特點：
•擠壓型材的基本框架
•尺寸（B×T×H）：400×800×600mm
•重量：20kg
•電動劃線（咨詢：氣動劃線，以提高劃線力）
•通過腳踏開關控制劃線鉆石（下降，抬起）
•可調節(jié)的劃線能力（10 g…120 g，其他可詢價）
•劃線槽寬度 5 µm…10 µm（取決于劃線力度和材料）
•下降速度可調
•劃線鉆石高度可調
•劃線金剛石工作角度可調
•通過真空提取劃線顆粒
•高質量的變焦顯微鏡，可無級調節(jié)放大倍率，范圍為8×…40×
•十字形目鏡，用于根據(jù)邊緣，結構和參考標記等準確調整劃線
•在放大10倍時，光學分辨率更好10 µm
•涂有特氟隆涂層的真空晶片托盤，安裝在x / y平臺上，直徑200 mm（可詢問100 mm）
•通過千分尺螺絲微調晶片夾頭的角度（10 µm，分辨率= 0.006°）
•托盤準確旋轉90°，無需關閉真空
•可調節(jié)擋塊，使卡盤旋轉90°
•手動x / y平臺，行程（200×200）mm，用于劃刻運動和粗略定位
•25毫米測微頭螺釘，可橫向于劃線方向準確定位
•10毫米測微螺釘，可在劃線方向上準確定位
•帶亮度控制和電源的LED環(huán)形燈
•小樣本尺寸約：（10×10）mm
•晶圓厚度：硅晶圓的所有標準厚度
•材料：硅，砷化鎵（GaAs）（其他材料如有查詢）
•視頻系統(tǒng)（也帶有圖像處理軟件）作為附件提供
產品參數(shù)：
MR200 晶圓劃片機 | ||
管路中的氣壓 | <75 mbar | |
電源 | 100-220 V交流電，60W | |
晶圓托盤直徑 | 100mm | 200mm |
范圍 | X:±12,5mm, y:±6,5 mm/0,01mm; ?: ±2° | |
切割長度 | 200mm | |
重量 | 約16kg | |
劃切力度 | 10g – 130g | |
顯微鏡倍率 | Γ’=8…40x | |
設備尺寸 | 高度：550mm，寬度：430mm，深度：700mm | |
